کیوکسیا تا سال ۲۰۳۱ تراشه «هزار لایه» 3D Nand تشکیل می‌کند_کویر دانش

مطابق اظهار وب‌سایت Xtech Nikkei، هیدفومی میازاکی، رئیس قسمت فناوری کیوکسیا (Kioxia)، در سخنرانی خود در هفتادویکمین نشست بهاره‌ی انجمن فیزیک کاربردی در دانشگاه توکیو، از برنامه‌ی شرکتش برای تشکیل زیاد حافظه‌های 3D NAND با بیشتر از ۱٬۰۰۰ لایه تا سال ۲۰۳۱ خبر داد.

افزایش تعداد لایه‌های فعال در تراشه‌های 3D NAND، بهترین روش برای افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی محسوب می‌بشود؛ به‌همین‌علت، همه‌ی تولیدکنندگان این نوع تراشه‌ها تلاش می‌کنند تعداد لایه‌ها را هر ۱٫۵ تا ۲ سال با معارفه نسل‌های تازه حافظه‌های خود افزایش دهند.

گسترش‌ی هر نسل تراشه‌های 3D NAND، مشکلات فنی خاص خود را دارد. سازندگان حافظه باید هم‌زمان با افزایش تعداد لایه‌ها، ابعاد سلول‌های حافظه (به‌صورت افقی و عمودی) را نیز افت دهند. این فرایند الزام به‌کارگیری مواد جدیدی در هر نسل است که مشکل بزرگی برای واحد تحقیق‌و‌گسترش محسوب می‌بشود.

بهترین حافظه‌ی 3D NAND کیوکسیا، یعنی نسل هشتم BiCS، از ۲۱۸ لایه‌ی فعال و رابط ۳٫۲ گیگاترنسفربرثانیه منفعت می‌برد و اولین‌بار در مارس ۲۰۲۳ (اسفند ۱۴۰۱ و فروردین ۱۴۰۲) معارفه شد. این نسل از حافظه‌های 3D NAND کیوکسیا از معماری نوآورانه‌ی CBA منفعت گیری می‌کند.

تشکیل سلول‌های حافظه و مدارهای جانبی به‌صورت جداگانه به‌ شرکت‌های سازنده‌ی تراشه‌های 3D NAND اجازه می‌دهد تا از به‌روزترین فناوری‌ها برای هر قسمت منفعت ببرند. این راهکار به‌خصوص با پیشرفت صنعت و منفعت گیری راه حلهایی همانند انباشت رشته‌ای که قطعاً برای حافظه‌های 3D NAND با ۱٬۰۰۰ لایه به کار گرفته خواهد شد، مزایای بیشتری به‌ارمغان خواهد آورد.

سامسونگ نیز در تلاش است تا به تشکیل زیاد حافظه‌های 3D NAND با ۱٬۰۰۰ لایه دست یابد و باید دید کدام شرکت سریعتر از فرد دیگر به مقصد مذکور خواهد رسید.